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高頻光電導少子壽命測試儀DZ-LT-1
簡要描述:

高頻光電導少子壽命測試儀DZ-LT-1
重復頻率>25次/s 脈寬>60μs 光脈沖關斷時間<0.2-1μs

紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶) 脈沖電流:5A~20A

  • 產品型號:DZ-LT-1
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2019-06-27
  • 訪  問  量:1429

詳細介紹

高頻光電導少子壽命測試儀DZ-LT-1 

1、 用途

用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形無嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況,是單晶質量的重要檢測項目。

高頻光電導少子壽命測試儀DZ-LT-1 2、 設備組成

2.1、光脈沖發(fā)生裝置

重復頻率>25次/s      脈寬>60μs          光脈沖關斷時間<0.2-1μs

紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶)   脈沖電流:5A~20A

如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、高頻源

頻率:30MHz       低輸出阻抗      輸出功率>1W

2.3、放大器和檢波器

頻率響應:2Hz~2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器:頻帶寬度不低于40MHz,Y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調。

3、測量范圍

DZ-LT-1可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥3Ω·㎝(歐姆·厘米),壽命值的測量范圍:5~6000μs

晶體少子壽命測試儀型號:LT-200

LT-200數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀簡介 
1. 儀器應用范圍及說明 
本設備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運用了三十多年,積累了豐富的使用經驗,經過數次全國十多個單位巡回測試的考驗,證明是一種成熟可靠的測試方法,特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量;也可對硅片進行測量,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,因此制樣特別簡便。 
昆德公司數字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點: 
可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數載流子體壽命。表面無需拋光,直接對切割面或研磨面進行測量,儀器可按需方提供的有標稱值的校準樣品調試壽命值。 
1.1 可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數載流子的相對壽命,表面無需拋光、鈍化。 
1.2 液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時在線顯示光電導衰退波形。 
1.3 配置的紅外光源:0.904~0.905μm波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強較強,有利于測量低阻太陽能級硅晶體少數載流子體壽命,脈沖功率30W。 
1.4 專門為消除陷進效應增加了紅外低光照。 
1.5 測量范圍寬廣 
測試儀可直接測量: 
a、研磨或切割面:電阻率≥0.5Ω•cm的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。 
b、拋光面:電阻率在0.5~0.01Ω•cm范圍內的硅單晶、鍺單晶厚度小于1mm的拋光片。 
2. 設備技術要求及性能指標 
2.1 少子壽命測試范圍:0.5μs~6000μs              
2.2 樣品的電阻率范圍:ρ﹥0.1Ω·cm(非回爐料)               
2.3 測試速度:1分鐘/片                       
2.4 紅外光源波長: 0.904~0.905μm                    
2.5 高頻振蕩源:用石英諧振器,振蕩頻率:30MHZ 
2.6 前置放大器,放大倍數約25,頻寬2HZ-2MHZ 
2.7 可測單晶尺寸:斷面豎測: 
直徑25mm-150mm;厚度2mm-500mm 
縱向臥測:直徑5mm-20mm;長度50mm-200mm 
2.8 測量方式:采用數字示波器直接讀數方式 
2.9 測試分辨率:數字存儲示波器zui小分辨率0.01μs  
2.10 設備重量:20 Kg  
2.11 儀器電源:電源電壓類型:單相210~230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩(wěn)壓,不能與未做保護措施的大功率、高頻設備共用電源。

 晶閘管測試儀 型號:DBC-352   

結構特征  
本儀器為箱式結構,數字顯示,讀數直觀方便。前部是面板,裝有控制鍵、 
數字顯示表和接線端子等。后蓋板上裝有三線電源插座和保險絲盒。(保險絲 
為0.5A/250V)。  
本儀器安放無特殊要求,但儀器外殼要可靠接地(本儀器外殼與后蓋板的 
三線電源插座中點相連),以保證儀器的測量精度和操作人員的安全。 
概述   
本儀器是晶閘管和整流管少子壽命的測試設備。適用于各種反向阻斷  
型晶閘管、逆導晶閘管、雙向晶閘管及各種整流管的參數測試。本測試儀設計  
良好,結構合理,并具有數字顯示,直接讀取少子壽命值,自動測試,操作簡  
便等特點。其技術指標符合GB4024-83標準的規(guī)定。是電力半導體器件生產廠  
zui為理想的檢測設備。   
2  技術參數   
2.1 觸發(fā)電流范圍:0—500mA   
2.2 少子壽命測量范圍:0.1—99μs   
2.3 測試分辨率:0.1µs   
2.4 重復測試頻率:1Hz   
2.5 工作條件   
電源:AC 220V±10% 50HZ   
溫度:0—40℃   
2.6 整機功耗:小于50VA   
2.7 整機重量:約10Kg   
2.8 整機尺寸:440×150×440mm 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

產品名稱:A型試片/靈敏度試片/探傷試片
產品型號:A

A型試片/靈敏度試片/探傷試片  型號:A

型靈敏度試片用于零部件的磁粉探傷,在檢查中,對幾何形狀復雜,不同材質的工件,可以正確地選擇磁化規(guī)范,并可檢查探傷設備,磁粉和磁懸液的性能,在磁粉探傷操作過程中,可以避免 漏檢,正確地知道探傷工作所需的電流峰值和方向,并對顯示缺陷的磁場強度有所估量。A型靈敏試片是磁粉探傷工作者*的調試工具。

     特點如下:                                                    

    試片用于磁粉顯示,圖像直觀,使用簡便,對各類零件所方向的磁場,尤其檢查形狀復雜的零件時,表現其*的優(yōu)點。

   性能規(guī)格:                                                       
    試片=1(u)適用于高靈敏度探傷,規(guī)格為(11-12)D;=2( u)適用于中靈敏度探傷,為(8-9)D;=3( u)適用于低靈敏度探傷,規(guī)格為(5-6)D。括號中分子為槽深,分母為試片厚度,單位為U(微米),D為工件直徑。

 

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